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厂商型号

2N7000_Q 

产品描述

MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA

内部编号

3-2N7000-Q

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

2N7000_Q产品详细规格

规格书 2N7000_Q datasheet 规格书
Status Obsolete
RoHS No
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 60 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 200 mA
抗漏源极RDS ( ON) 1.2 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92
封装 Bulk
正向跨导gFS (最大值/最小值) 0.1 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 400 mW
寿命 Obsolete

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